Systems Products & Services Pte Ltd
新加坡实德科技有限公司北京办事处 |
|
→询盘
|
在水分增加下使用GS-126硼源片 GS-126 p-型硼平面掺杂源具有其他所有硼源的所有期望特质。然而,此源是特意为温度低于1000度的工作环境设计的,可以在氮载气中有或没有水分作业。 这一过程是如何运行的 在干燥的氮气中利用传统的处理技术GS-126源能够均匀的在硅片上形成一层薄玻璃膜。然而,如果沉积是在包含特定数量的 厚些的玻璃薄膜有利于在低温下提高掺杂的均匀度,从而使沉积玻璃下的硼-硅相厚度增加。当硅片低温氧化循环脱釉时,大部分的硅面损坏被氧化的硼-硅相移除。 需要的设备 通过在生产环境中使用质量流量控制系统,小数量的氢气和氧气很容易与氮气混合在一起。当温度控制在850-900度之间时,氧气浓度为500ppm.氢气流速用来控制扩散管中的理论水分浓度。
表格一 表1表明了为了在氮气中形成不同湿度,理论上的氢气流速。为了准确的控制氢气的低流速,推荐在氮气中提混合氢气。流 沉积循环 图二可见一个典型的沉积周期循环 硼源片上湿度的影响
图3和图4表明了利用图2中的沉积循环,温度在850和900度之间时,扩散管中的水分含量与沉积玻璃膜厚度的关系。 这些数据也表明了在沉积玻璃下的硅片的方块电阻。图5显示了在掺杂硅上的扩展电阻曲线。在画此曲线之前,硅片首先 结论
|