Systems Products & Services Pte Ltd
新加坡实德科技有限公司北京办事处 |
|
→询盘
|
储存 储存技术 在典型的半导体生产中，当扩散管中的水蒸气被控制并保持在最小值时可以得到最佳结果。微量的水蒸气会造成硅表面损伤，硅片上不均匀的掺杂，更多的硼被氧化以及其他产量减少的影响。此公告讨论了利用恰当的储存技术，来减少扩散设备和材料进入扩散炉中带来的水分。 水蒸气来源 水蒸气可以有各种来源。不包括总设备故障，如破裂的扩散管道和气体管道的空气泄露，少量水蒸气可以通过各种渠道进入扩散管中。 当扩散船使用多次后，就会积聚产生一个薄薄的三氧化二硼或五氧化二磷玻璃薄膜。必须采用恰当的储存措施来防止这种薄膜来吸收大量的水分。然而，当薄膜变的足够厚的时候，它也变得更加吸水并开始在硅晶片转载/卸载过程中从空气中开始吸水。在这个时候的时候源就应该从船中移出，船应该小浓度的氢氟酸来蚀刻。在硼源片和磷源片进行使用的时候也可以进行船的清洗，由于源片并不是粘在船上的。 如果在不使用时不恰当的储存，扩散源自身也可作为水分的一种来源。当暴露在空气中时，两种类型的硼源在水分含量上会有很大的不同.氮化硼源表面有一层三氧化二硼,吸湿性非常强，会从大气中会迅速吸取水分.尽管是在硅装载/卸载的相对较短的过程中.然而,硼源,表面并无三氧化二硼，大部分储存在里面.这就极大减低了从大气中的水分吸收量.对硼氮源和硼源片的测试表明当储存在相似的环境下时硼氮晶片可以增加1.1%的重量,而硼源片增加的不到0.02% 因为磷在磷源片是以复杂的晶体而存在的，不是在严格上的吸水的五氧化二磷，所以磷源片表现最少量的吸水能力。然而，源所吸取的少量的水分会影响某些器材的电气性能，比如利用源扩散形成的双极晶体管的高贝塔。因此我们推荐在运行的时间间隔超过45分钟时，将源储存在高温干燥的扩散船内。 如果硼源片或磷源片，被置于室内很长时间，只需将它们在插入温度时在扩散管中放置15分钟即可进行下次运行。接下来就可以进行生产了。 如果想要取得最佳效果，固体源和扩散船在长期储存中不可以吸收一点水分。以下的讨论会提供工程师一些储存方法以备选择。他可以选择最适合他的扩散工艺，同时选择最合适的设备储存方法。 存储技术 选择最佳的办法储存不使用的硼源片磷源片很大程度上取决于生产过程中对水蒸气的敏感性。一般来说，双极型工艺扩散和MOS工艺的源扩散对水分要求比较严格。较为不敏感些的工艺包括一些分离扩散和高温蚀刻应用等。 结论 经验表明，在半导体制造过程中，恰当的储存技术是至关重要的。欲求关于产品公告更多的信息，或者是硼源片，磷源片的信息，请联系我们。 参考：
|