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在水分增加下使用GS-126硼源片
GS-126 p-型硼平面掺杂源具有其他所有硼源的所有期望特质。然而，此源是特意为温度低于1000度的工作环境设计的，可以在氮载气中有或没有水分作业。
这一过程是如何运行的
在干燥的氮气中利用传统的处理技术GS-126源能够均匀的在硅片上形成一层薄玻璃膜。然而，如果沉积是在包含特定数量的
氧气和氢气的氮气中运行，膜的厚度可以显著提高。当这些气体与载气混合时，氢气首先与氧气结合生成水，然后与三氧化
二硼结合形成HBO2.由于HBO2的蒸汽压远高于三氧化二硼. HBO2的产生速率远远大于三氧化二硼，HBO2可以在硅片上产生
更厚的玻璃薄膜。
厚些的玻璃薄膜有利于在低温下提高掺杂的均匀度，从而使沉积玻璃下的硼-硅相厚度增加。当硅片低温氧化循环脱釉时，大部分的硅面损坏被氧化的硼-硅相移除。
需要的设备
通过在生产环境中使用质量流量控制系统，小数量的氢气和氧气很容易与氮气混合在一起。当温度控制在850-900度之间时，氧气浓度为500ppm.氢气流速用来控制扩散管中的理论水分浓度。
表格一
当氮气流量为3升/分 
表1表明了为了在氮气中形成不同湿度，理论上的氢气流速。为了准确的控制氢气的低流速，推荐在氮气中提混合氢气。流
速一定要足够低，达到在一个标准箱中可以进行数百次混合。表格一给出了当氮气流量为3升每分钟时不同比例氢气/氮气
混合物的流速。这些流速随着氮气流速的调整而调整。
沉积循环
图二可见一个典型的沉积周期循环
硼源片上湿度的影响
图3和图4表明了利用图2中的沉积循环，温度在850和900度之间时，扩散管中的水分含量与沉积玻璃膜厚度的关系。
这些数据也表明了在沉积玻璃下的硅片的方块电阻。图5显示了在掺杂硅上的扩展电阻曲线。在画此曲线之前，硅片首先
去釉然后在800度下进行20分钟低温蒸汽氧化循环从而去除硼-硅相。图6显示了900度氮气中水含量为30ppm时，在100mm
的硅片上掺杂10微米的宽的电阻区域的曲线。与传统的离子注入技术相比，舟内和硅片上的变化小于1%。
结论
在含有一定数量的水分的环境下使用GS-126硼源片的工艺已经形成。工艺简单安全，也使工程师在生产不同厚度的玻璃
膜时更有弹性。接近离子注入均匀性的掺杂技术可以有效的减少硅损坏，不会产生沟渠，同时还能降低成本。
